型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NVD5862NT4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

NVD5862NT4G

Power MOSFET

文件:79.92 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5862NT4G

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:1.08524 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m

文件:125.95 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET

文件:86.99 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5862NT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD5862NT4G

  • 功能描述

    MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-13 15:10:00
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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