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NUP2301价格

参考价格：￥0.7705

型号：NUP2301MW6T1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NUP2301多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NUP2301批发/采购报价，NUP2301行情走势销售排行榜，NUP2301报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NUP2301

用于 ESD 保护的低电容二极管阵列

The NUP2301MW6 is a micro-integrated device designed to provide protection for sensitive components from possible harmful electrical transients such as ESD. • Low Capacitance (2.0 pF Max Between I/O Lines\n• Provides ESD Protection for JEDEC Standards JESD22\n• Ensures Data Line Speed and Integrity\n• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements\n;

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301

Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic

文件：216.85 Kbytes Page：2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1

Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines

文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TVS DIODE 70VWM SC88/SC70-6 电路保护 TVS - 二极管

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1/D

Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines

文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1D

Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines

文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1G

Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines

文件：134.14 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1G

Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines

文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1G

Integrated Solutions for USB Line Protection and Termination

文件：1.05969 Mbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1G

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TVS DIODE 70VWM SC88/SC70-6 电路保护 TVS - 二极管

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1G

TVS二极管

ONSEMI

安森美半导体

NUP2301MW6T1SLASHD

Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Two Data Lines

文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTE2301

Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output

Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin

NTE

CNB2301

Reflective Photosensor

文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages

PANASONIC

松下

LMX2301

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LMX2301TMX

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

TLE2301INE

EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件：324.91 Kbytes Page：22 Pages

TI

德州仪器

NUP2301产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • AEC Qualified：

    A

  • Halide free：

    H

  • PPAP Capablee：

    P

  • Status：

    Active

  • Interface：

    T1/E1

  • Number of Lines：

    2

  • Direction：

    Bidirectional

  • C Max (pF)：

    3

  • V(BR) Min (V)：

    70

  • VRWM Max (V)：

    70

  • IR Max (µA)：

    2.5

  • Package Type：

    SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

NUP2301供应商更多...

更新时间：2026-8-2 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
标准国际(香港)有限公司
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NUP2301MW6T1G
ON/安森美
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