位置：首页 > IC中文资料 > NTMT045N60S5F
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTMT045N60S5F | Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, Power88 Features • Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 162 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • RoHS Compliant Typical Applications • SMPS (Switching Mode Power Supplies) | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-9 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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