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NTMT045N60S5F

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650V, M2, Power88

Features • Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 162 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • RoHS Compliant Typical Applications • SMPS (Switching Mode Power Supplies)

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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