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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTMSD3P303R2 | P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO?? Package 文件：128.6 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMSD3P303R2 | P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package 文件：202.68 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMSD3P303R2 | P−Channel Enhancement−Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO−8 Package | ONSEMI 安森美半导体 | | |
P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package 文件：202.68 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package 文件：202.68 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts 文件：166.96 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts 文件：162.64 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTMSD3P303R2产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMSD3P303R2
- 功能描述
MOSFET -30V -3.05A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
2500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON |
24+ |
SOP8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
SOP8 |
25+ |
SOP8 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
ON/安森美 |
2403+ |
SOP8L |
11809 |
原装现货!欢迎随时咨询! |
|||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
24+ |
SOP8L |
931 |
||||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ON |
24+ |
SO-8 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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