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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTMS4916NR2G | 30V N-Channel MOSFET Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (VGS = 10V) VDS (V) =3 | UMW 友台半导体 |   | |
NTMS4916NR2G | Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses 文件：119.38 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMS4916NR2G | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00714 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NTMS4916NR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMS4916NR2G
- 功能描述
MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON Semiconductor |
23+ |
8SOIC |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ON(安森美) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON/安森美 |
新年份 |
SOP-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
ON |
23+ |
SOP |
200 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ON/安森美 |
1925+ |
SOP-8 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
|||
ON |
24+/25+ |
1253 |
原装正品现货库存价优 |
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