型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTMS4916NR2G

30V N-Channel MOSFET

Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (VGS = 10V)   VDS (V) =3

UMW

友台半导体

NTMS4916NR2G

Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

文件:119.38 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMS4916NR2G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00714 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMS4916NR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4916NR2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-6 8:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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SOP-8
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