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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
30V N-Channel MOSFET Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Applications • Disk Drives • DC− DC Converters • Printers (VGS = 10V) VDS (V) = 30V ID = 11A RDS(ON) | UMW 友台半导体 |   | ||
Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8 文件：94.55 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：114.67 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-11-3 23:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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NA/ |
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ON |
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