型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTMS3P03R2G

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= -30V, ID= -5.1A RDS(ON)

Bychip

百域芯

NTMS3P03R2G

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

ONSEMI

安森美半导体

NTMS3P03R2G

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:147.05 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.05873 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMS3P03R2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS3P03R2G

  • 功能描述

    MOSFET 30V 3.05A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-3 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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