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NTMFS5C670NLT1G | Single N-Channel Field Effect Transistor Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：127.5 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-8-16 18:19:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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1950+ |
DFN5 |
68888 |
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SO-8FL |
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2020-11-18
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