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NTLTS3107PR2G

Power MOSFET -20 V, -8.3 A, Single P-Channel,Micro8 Leadless Package

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ONSEMI

安森美半导体

NTLTS3107PR2G

功率 MOSFET,−20 V,-8.3 A,单 P 沟道,Micro-8 无引线封装

ONSEMI

安森美半导体

NTLTS3107PR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTLTS3107PR2G

  • 功能描述

    MOSFET PFET 8A PB

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 11:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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