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NTJD5121NT1G价格
参考价格：￥0.2003
型号：NTJD5121NT1G 品牌：ON 备注：这里有NTJD5121NT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTJD5121NT1G批发/采购报价，NTJD5121NT1G行情走势销售排行榜，NTJD5121NT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTJD5121NT1G | Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88 文件：82.1 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTJD5121NT1G | Power MOSFET 文件：75.2 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTJD5121NT1G | Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N?묬hannel with ESD 文件：108.27 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTJD5121NT1G | Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：945.39 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 文件：71.32 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：75.2 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTJD5121NT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTJD5121NT1G
- 功能描述
MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON-SEMI |
22+ |
N/A |
6000 |
原装正品 香港现货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SC70-6 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特价NTJD5121NT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON |
24+ |
SC70-6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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ON |
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245 |
原装正品现货库存价优 |
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SOT-363 |
5000 |
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ON |
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SC70-6 |
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全新进口原装现货QQ：505546343手机17621633780曹小姐 |
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ON |
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SOT363 |
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NTJD5121NT1G规格书下载地址
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2019-1-7
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