型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTHD3100CT3G

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

文件:153.61 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100CT3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTHD3100CT3G

  • 功能描述

    MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
25+
1206-8
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
ON/安森美
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ChipFET8
85600
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