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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L075N065SC1 | Silicon Carbide SiC MOSFET - 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 57 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 75 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 61 nC) • Low Output Capacitance (Coss = 107 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second le | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTH4L075N065SC1 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-11-5 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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