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NTH4L075N065SC1

SiliconCarbideSiCMOSFET-57mohm,650V,M2,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=57m@VGS=18V Typ.RDS(on)=75m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=61nC) •LowOutputCapacitance(Coss=107pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondle

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-22 23:00:00
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