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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTH4L070N120M3S | SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
N/A |
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onsemi |
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TO-247-4L |
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原厂正品现货SiC MOSFET全系列 |
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NTH4L075N065SC1 |
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