位置：首页 > IC中文资料 > NTH4L060N090SC1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L060N090SC1 | Silicon Carbide SiC MOSFET - 60 mohm, 900V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V Typ. RDS(on) = 43 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 87 nC) • Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 113 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second le | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-18 13:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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