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NTH4L030N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF) • 100 Avalanche Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical

ONSEMI

安森美半导体

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-15 10:07:00
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