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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTH4L030N120M3S | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF) • 100 Avalanche Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTH4L030N120M3S | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF) • 100 Avalanche Tested • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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N/A |
24+ |
N/A |
17392 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO2474 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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TO-247 |
50000 |
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ON/安森美 |
2130+ |
TO-247 |
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ON(安森美) |
24+ |
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TO-247-4L |
1356 |
原厂正品现货SiC MOSFET全系列 |
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