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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTH4L027N65S3F | MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 75 A, 27.4 m 文件：532.65 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MOSFET ??Single N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 75 A, 27.4 m Features • Ultra Low Gate Charge & Low Effective Output Capacitance • Lower FOM (RDS(on) max. x Qg typ. & RDS(on) max. x EOSS) • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-8-15 10:07:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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