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NTH4L025N065SC1

Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC) • Low Capacitance (Coss = 278 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level in

ONSEMI

安森美半导体

NTH4L025N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-5 23:00:00
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