型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTH4L025N065SC1

Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC) • Low Capacitance (Coss = 278 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level in

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-18 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
ON/安森美
2130+
TO-247
9000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON(安森美)
23+
9417
公司只做原装正品,假一赔十
onsemi
23+
TO-247-4
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
8110
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ONSEMI
23+
MOSFET
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
ON(安森美)
2447
TO-247-4
115000
450个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期

NTH4L025N065SC1芯片相关品牌

NTH4L025N065SC1数据表相关新闻