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NTH4L023N065M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

Features  Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V  Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)  High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)  100 Avalanche Tested  This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Appli

ONSEMI

安森美半导体

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

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Features  Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V  Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)  High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)  100 Avalanche Tested  AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a, Pb−Free 2LI (

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安森美半导体

更新时间:2025-11-5 13:18:00
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