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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTH4L023N065M3S | Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L Features Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF) 100 Avalanche Tested This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Appli | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L Features Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF) 100 Avalanche Tested AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a, Pb−Free 2LI ( | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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