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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTH4L020N120SC1_V01 | SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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