位置：首页 > IC中文资料 > NTH4L020N090SC1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L020N090SC1 | Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 196 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 296 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level inter | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-23 12:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ON(安森美) |
2511 |
TO-247-4 |
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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ON-SEMI |
22+ |
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450 |
只做原装正品 |
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24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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ON(安森美) |
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ON/安森美 |
2324+ |
NA |
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二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
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ONSEMI/安森美 |
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原封装 |
52000 |
只做原装进口现货 |
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郑重承诺只做原装进口现货 |
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ON |
24+ |
NA |
3000 |
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