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NTH4L014N120M3P

Silicon Carbide SiC MOSFET - 14mohm, 1200V, M3, TO247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 14 m @ VGS = 18 V • Low Switching Losses (Typ. EON 1308 J at 74 A, 800 V) • 100 Avalanche Tested • These Devices are RoHS Compliant Typical Applications • Solar Inverters • Electric Vehicle Charging Stations • UPS (Uninterruptible Power Supplies) • Energy Sto

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-19 12:00:00
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