型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTGD4161PT1G

Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6

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ONSEMI

安森美半导体

NTGD4161PT1G

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.93535 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGD4161PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTGD4161PT1G

  • 功能描述

    MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
3000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ONSEMI/安森美
23+
SOT23-6
50000
原装正品 支持实单
ON/安森美
25+
SOT23-6
37780
ON/安森美全新特价NTGD4161PT1G即刻询购立享优惠#长期有货
ON
24+
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12000
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SOT-163
24320
进口原装现货/价格优势!
ON/安森美
2019+
SOT23-6
78550
原厂渠道 可含税出货
ON
2025+
SOT-163
7695
全新原厂原装产品、公司现货销售

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