型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTGD4161PT1G

PowerMOSFET-30V,-2.3A,DualP-Channel,TSOP-6

文件:67.3 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NTGD4161PT1G

DualP-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.93535 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NTGD4161PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTGD4161PT1G

  • 功能描述

    MOSFET PFET TSOP6 20V 2.3A 160mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-12 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
NA/
3000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON
2020+
SOT-163
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集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
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