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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTD78N03R | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
NTD78N03R | Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：215.4 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：83.13 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：87.37 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N?묬hannel, DPAK 文件：76.97 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：995.73 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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NTD78N03R产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD78N03R
- 功能描述
MOSFET 25V 85A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
10000 |
|||||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAK-3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO252 |
39042 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON/安森美 |
2447 |
DPAK |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON |
23+ |
SOT252 |
2500 |
正规渠道,只有原装! |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
- |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON/安森美 |
18+PBF |
TO-252-2 |
3389 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
NTD78N03R规格书下载地址
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