型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTD4965N-35G

Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

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ONSEMI

安森美半导体

NTD4965N-35G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTD4965N-35G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:995.7 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD4965N-35G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD4965N-35G

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

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