型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTD4805N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 95A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

MOSFET – Power, Single, N-Channel, DPAK/IPAK 30 V, 88 A

Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:80.75 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

文件:122.57 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:995.69 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD4805N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD4805N-1

  • 功能描述

    MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-18 16:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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TO251
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