位置：首页 > IC中文资料第2050页 > NTD40N03R-1G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD40N03R-1G | Power MOSFET 45 A, 25 V, N−Channel DPAK Features • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss • Low Ciss to Minimize Driver Loss • Low Gate Charge • Optimized for High Side Switching Requirements in High−Efficiency DC−DC Converters • These are Pb−Free Devices | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD40N03R-1G | Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts 文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD40N03R-1G | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.98 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts 文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD40N03R-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD40N03R-1G
- 功能描述
MOSFET 25V 45A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONS |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
ON |
1923+ |
TO-251 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
TO-251 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ON |
21+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装鄙视假货 |
|||
ON |
23+ |
TO251-3 |
295 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON |
24+ |
TO251-3 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON |
2025+ |
TO-251-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO-251 |
10062 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
2023+ |
TO251-3 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
NTD40N03R-1G规格书下载地址
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