位置：首页 > IC中文资料第438页 > NTD3055L170-1G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD3055L170-1G | 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?묬hannel DPAK 文件：93.68 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD3055L170-1G | Power MOSFET 文件：125.02 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD3055L170-1G | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.11 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 170mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N?묬hannel DPAK 文件：93.68 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD3055L170-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD3055L170-1G
- 功能描述
MOSFET 60V 9A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO251 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON |
25+23+ |
TO251 |
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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22+ |
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3000 |
原装正品,支持实单 |
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ON SEMI |
07+ |
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公司优势库存 热卖中! |
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VBsemi |
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9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
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正规渠道,只有原装! |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
NA |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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