位置:首页 > IC中文资料第1529页 > NTD3055-094G
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTD3055-094G | Power MOSFET 12 A, 60 V 文件:76.61 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTD3055-094G | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件:1.00403 Mbytes Page:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 94mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
Power MOSFET 12 A, 60 V, N?묬hannel DPAK / IPAK 文件:135.47 Kbytes Page:9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:674.91 Kbytes Page:5 Pages | DOINGTER 杜因特 | |||
Power MOSFET 12 A, 60 V 文件:76.61 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |
NTD3055-094G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD3055-094G
- 功能描述
MOSFET 60V 12A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
24+ |
SOT252 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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ON |
2016+ |
TO-252 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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ON |
22+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON |
21+ |
SOT252 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
37 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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VBsemi |
24+ |
TO252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
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ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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2019-8-8
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