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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTD25P03LG | P-Channel -30V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) = -30V RDS(ON) | EVVOSEMI 翊欧 | ||
NTD25P03LG | Power MOSFET 文件:74.3 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTD25P03LG | Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt 文件:160.39 Kbytes Page:9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTD25P03LG | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件:1.01486 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
P-Channel -30V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) = -30V RDS(ON) | EVVOSEMI 翊欧 | |||
Power MOSFET 文件:74.3 Kbytes Page:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:560.36 Kbytes Page:6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:846.33 Kbytes Page:7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:570.22 Kbytes Page:6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 |
NTD25P03LG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD25P03LG
- 功能描述
MOSFET -30V -25A P-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
12048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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O |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ON |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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UMW(广东友台半导体) |
24+ |
TO-252 |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-252 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ON/安森美 |
新年份 |
TO-252 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
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ON |
2025+ |
TO-252-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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