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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTD12N10T4G | Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK 文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD12N10T4G | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01002 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK 文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01053 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NTD12N10T4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD12N10T4G
- 功能描述
MOSFET 100V 12A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-17 18:57:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
37726 |
ONSEMI/安森美全新特价NTD12N10T4G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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原装正品现货库存价优 |
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面议 |
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NTD12N10T4G规格书下载地址
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