位置：首页 > IC中文资料第974页 > NTD12N10-1G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD12N10-1G | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：974.5 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
NTD12N10-1G | Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts 文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.165Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK 文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD12N10-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD12N10-1G
- 功能描述
MOSFET 100V 12A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO251 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ON |
0915+PBF |
TO-251 |
720 |
现货 |
|||
VB |
21+ |
I-PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
25+23+ |
TO251 |
75267 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ON |
22+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
55 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
NTD12N10-1G规格书下载地址
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