位置：首页 > IC中文资料第3944页 > NTB30N06LG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB30N06LG | PowerMOSFET 文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NTB30N06LG | N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.3212 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：223.41 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
FastSwitching 文件：64.91 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
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60V,30AN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：309.86 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
NTB30N06LG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB30N06LG
- 功能描述
MOSFET 60V 30A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
161 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
O |
2020+ |
D2PAK |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
ONS |
2020+ |
D2PAK |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
D2PAK |
9693 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON/安森美 |
TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
ON |
1746+ |
TO263 |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
|||
ON |
23+ |
D2PAK3LEAD |
67600 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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