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NSR05T30XV2T5G

500 mA, 30 V Schottky Barrier Diode

These Schottky barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current that offers the most optimal power dissipation in applications. They are housed in spacing saving micro−packaging ideal for space constraint applications. Features • Low Forward Voltage Drop − 3

ONSEMI

安森美半导体

NSR05T30XV2T5G

封装/外壳:SC-79,SOD-523 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD523 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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