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Schottky Barrier Diodes

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ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Diodes

These Schottky barrier diodes are designed for high current, handling capability, and low forward voltage performance. Features • Low Forward Voltage − 0.24 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc • High Current Capability • ESD Rating: ♦ Human Body Model: CLASS 3B ♦ Machine Model: C • NSV Prefix for A

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安森美半导体

NSR0320MW2T1H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSR0320MW2T1H

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 制造商

    ON Semiconductor

更新时间:2025-11-21 20:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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  • NSPM2051MUT5G深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376、18806643356 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

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