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位置：首页 > IC中文资料第3771页 > NSCT3906LT1G

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NSCT3906LT1G

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件：83.8 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSCT3906LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NSCT3906LT1G

General Purpose Transistors PNP Silicon

ONSEMI

安森美半导体

MMBT3906LT1

General Purpose Transistor

General Purpose Transistor PNP Silicon

Motorola

摩托罗拉

MMBT3906LT1

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The MMBT3906LT1 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C Junction Temper

TGS

MMBT3906LT1

General Purpose Transistor(PNP Silicon)

General Purpose Transistor PNP Silicon Features •Pb-Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

LMBT3906LT1

General Purpose Transistors

文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages

LRC

乐山无线电

LMBT3906LT1G

General Purpose Transistors

文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages

LRC

乐山无线电

NSCT3906LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSCT3906LT1G

  • 功能描述

    TRANSISTOR PNP GP 40V SOT-23

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）

    200mV @ 100mA，1A 电流 -

  • 集电极截止（最大）

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

NSCT3906LT1G供应商更多...

更新时间：2025-9-25 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
NSCT3906LT1G
ON/安森美
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NA/
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深圳市科芯源微电子有限公司
NSCT3906LT1G
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NSCW008AT
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NSCT3906LT1G
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NSCT3906LT1G
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SOT23
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ON/安森美
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NSCT3906LT1G
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瀚佳科技(深圳)有限公司
NSCT3906LT1G
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