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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NSBA143EF3T5G | Digital Transistors (BRT) 文件：117.91 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NSBA143EF3T5G | Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 kA 文件：148.94 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NSBA143EF3T5G | Digital Transistors (BRT) 文件：108.62 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NSBA143EF3T5G | Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k 文件：145.52 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NSBA143EF3T5G | 封装/外壳：SOT-1123 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k 文件：140.22 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NSBA143EF3T5G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NSBA143EF3T5G
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON/旷远原装 |
24+ |
SOT-563 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON/原装 |
14+ |
SOT-563 |
30059 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
2223+ |
SOT-563 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
ON/旷远原装 |
2023+ |
SOT-563 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
|||||
ON |
23+ |
SOT563 |
34059 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
36000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
24+ |
N/A |
54000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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