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NRVTS2H60ESFT3G

Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier

Features • Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low Forward Voltage and Low Leakage • Fast Switching with Exceptional Temperature Stability • Low Power Loss and Lower Operating Temperature • Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance • Low Thermal Resistance

ONSEMI

安森美半导体

NRVTS2H60ESFT3G

封装/外壳:SOD-123F 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

NRVTS2H60ESFT3G

Schottky Rectifier, Trench-based, Very Low Forward Voltage

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安森美半导体

更新时间:2025-8-17 20:00:00
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