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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Enhancement mode type • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) • High speed: tf = 0.05 μs (typ.) • Low switching loss : Eon = 1.30 mJ (typ.)

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东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-3 13:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
TO3PL
60000
TOSHIBA/东芝
24+
TO-3PL
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
XTW
24+
QFN
30735
绝对原厂支持只做自己现货优势
TOSHIBA
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TOSHIBA/东芝
2447
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100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
TOSHIBA/东芝
23+
TO3PL
50000
全新原装正品现货,支持订货
TOSHIBA/东芝
17+
TO-3P(LH)
31518
原装正品 可含税交易
TOSHIBA
22+
TO-264
20000
公司只做原装 品质保障
TOSHIBA
TO-3PL
9850
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA
24+/25+
60
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