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NP90N04VUK-E2-AY	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N04VUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 2.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)  Low Ciss: Ciss = 3900 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application an	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N04VUK-E2-AY	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N04VUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) • Low Ciss: Ciss = 3900 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive application a	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2025-8-14 23:01:00

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深圳市星辰微电科技有限公司	NP90N055MUK	RENESAS/瑞萨	22+	TO-220	12500	瑞萨全系列在售,终端可出样品	询价
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2022-4-14
NP16N06QLK-E1-AY 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
2021-9-4
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2021-9-3
NPA1006假一罚十
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2020-7-16
NPA-730B-005D
板机接口压力传感器
2019-9-10
NPCE795LA0DX公司大量全新原装正品随时可以发货
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2019-1-4