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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NP90N03VHG | N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
NP90N03VHG | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •Lowinputcapacitance ⎯Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedfor | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
NP90N03VHG | ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •Lowinputcapacitance ⎯Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedfor | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •Lowinputcapacitance ⎯Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedfor | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-channel30V-0.005廓-80A-DPAK/IPAKSTripFET??IIIPowerMOSFET Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesreduce | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
原装正品价格优惠 文件：332.837 Kbytes Page：8 Pages |  | | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFETTrenchFETPowerMOSFET 文件：1.90333 Mbytes Page：8 Pages | DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd |  | | |
TrenchFET짰PowerMOSFET 文件：295.72 Kbytes Page：8 Pages | DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd | | |
NP90N03VHG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP90N03VHG
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Renesas |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO252 |
2027 |
||||
Renesas |
23+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO252 |
6000 |
全新原装 现货 价优 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
TO-252 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO252 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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