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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP82N04MDG | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MDGandNP82N04NDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MDGandNP82N04NDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Lowi | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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NP82N04MDG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP82N04MDG
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
TO-220 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
23+ |
N/A |
64610 |
正品授权货源可靠 |
||||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
TO2203 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
NEC |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
NEC |
22+ |
TO-220 |
40256 |
本公司只做原装进口现货 |
|||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
R |
23+ |
TOTO-220 |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
NEC |
TO-220 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
||||
NEC |
22+ |
TO-220 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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