位置：首页 > IC中文资料第10581页 > NP80N04PDG-E2B-AY
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP80N04PDG-E2B-AY | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NP80N04PDG-E2B-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP80N04PDG-E2B-AY
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
TO-263 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
RenesasElectronicsAmeric |
2019+ |
TO-263-3 |
65500 |
D2Pak(2Leads+Tab) |
|||
NEC |
TO-263 |
503172 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
R |
23+ |
TO263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
R |
TO263 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10026 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
VBsemi |
2023+ |
TO263 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：NP16N06QLK-E1-AY 类别分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-阵列 制造商RenesasElectronicsAmericaInc 封装：8-PowerL
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2019-9-10
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