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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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RENESAS

瑞萨

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • High Current Rating ID(DC) = ±160 A

NEC

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.6 mΩ TYP. / 2.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80 A) • High Current Rating ID(DC) = ±160 A

NEC

瑞萨

更新时间:2025-11-20 17:38:00
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RENESAS
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