型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NP110N055PUG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP110N055PUG

Product Scout Automotive

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RENESAS

瑞萨

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:276.81 Kbytes Page:9 Pages

RENESAS

瑞萨

PolarHT Power MOSFET

PolarHT™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

NP110N055PUG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP110N055PUG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-2 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
TO263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
NEC
24+
TO-263
503165
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
renesas
23+
NA
544
专做原装正品,假一罚百!
NEC
22+
NA
3000
原装正品,支持实单
NEC
24+
TO-263
8866
Renesas
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原装正品,支持实单
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
32687
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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