型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NJVMJD243T4G

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NJVMJD243T4G

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:散装 描述:TRANS NPN 100V 4A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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安森美半导体安森美半导体公司

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ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur

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安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR4AMPERES100VOLTS12.5WATTS

...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=200mAdc =15(Min)@IC=

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

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ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor

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ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications

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NJVMJD243T4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NJVMJD243T4G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 100V TR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-6-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
23+
DPAK-3
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ON/安森美
23+
NA/
38250
原装现货,当天可交货,原型号开票
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
onsemi
24+
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ON
22+
N/A
5000
挂了就有,工厂库存,YX价优
ON/安森美
2022
TO252
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
ONsemi
2023+
TO252
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
ON/安森美
1922+
TO-252
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ON(安森美)
23+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ONsemi
21+
TO252
15000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

NJVMJD243T4G芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
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