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SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur

Motorola

摩托罗拉

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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意法半导体

Complementary Darlington Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

Complementary Darlington Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-14 20:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
12+PBF
DPAK
800
现货
ONSEMI
0519+
SOT252
7790
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MOT
04+
SOT252/2.5
2550
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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