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NJ2105LT1G

SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes

Features 420Wpeakpulsepower (8/20μs) Protectstwobi-directionallines Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:24V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

SiliconTuningDiode

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LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

SiliconTuningDiode

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ETLE-Tech Electronics LTD

亚历电子亚历电子有限公司

ETL

SiliconTuningDiodes

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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更新时间:2025-5-15 22:58:00
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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    2013-1-3
  • NIS3001-集成驱动器和MOSFET的同步降压控制器的电源芯片

    NIS3001是一个集成的高功率多芯片解决方案DC到DC同步降压转换器。它包含两间电力是由内部驱动器控制的MOSFET。所有这三种芯片在电源QFN包PInPAKE包装。的10.510.5毫米PInPAK]包增加功率密度,并简化PCB布局。该设备可用于单相或多相应用。NIS3001实现最新的MOSFET技术。控制MOSFET的设计提供更好的开关相比,性能和低得多的温度经营分立式解决方案。同步MOSFET设计,以减少在高频率的传导和开关损失。集成解决方案大大降低了寄生电感与传统的分立式降压转换器和结果中的最高功率转换效率。优化的基础上MOSFET的功率密度的NIS3001芯片尺寸和PInPAK设

    2012-11-12