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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NIF5002NT3 | Self-Protected FET with Temperature and Current Limit Self−Protected FET with Temperature and Current Limit 42 V, 2.0 A, Single N−Channel, SOT−223 HDPlus™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on−resistance per silicon area while incorporating | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NIF5002NT3 | Self?뭁rotected FET with Temperature and Current Limit 文件：74.42 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIF5002NT3 | 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Self?뭁rotected FET with Temperature and Current Limit 文件：74.42 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01044 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NIF5002NT3产品属性
- 类型
描述
- 型号
NIF5002NT3
- 功能描述
MOSFET 42V 2A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VBsemi |
21+ |
SOT223 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
VBsemi |
23+ |
SOT-223-3 |
1000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON |
24+ |
SOT-223-4 / TO-261-4D |
25000 |
ON全系列可订货 |
|||
ONSEMI |
6000 |
面议 |
19 |
SOT-223 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
SOT-223 |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
VBsemi |
24+ |
SOT-223-3 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
VBsemi |
23+ |
SOT-223-3 |
20000 |
||||
ON Semiconductor |
22+ |
SOT223 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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