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NID9N05CLT4G价格
参考价格：￥2.5684
型号：NID9N05CLT4G 品牌：ONSemi 备注：这里有NID9N05CLT4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NID9N05CLT4G批发/采购报价，NID9N05CLT4G行情走势销售排行榜，NID9N05CLT4G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NID9N05CLT4G | 9.0 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NID9N05CLT4G | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NID9N05CLT4G | Power MOSFET 文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET Power MOSFET 9.0 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：76.8 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NID9N05CLT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NID9N05CLT4G
- 功能描述
MOSFET 52V 9A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO252 |
80000 |
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