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NHPM120T3G

SurfaceMountUltraFastPowerRectifier

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NHPM120T3G

封装/外壳：DO-216AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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MBRA120T3

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
MBRA120T3

CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES

FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.

TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd

泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司

TAYCHIPST
MBRS120T3

SurfaceMountSchottkyPowerRectifier

SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectif

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NHPM120T3G供应商更多...

更新时间：2024-5-11 8:14:00
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